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盖革模式InGaAs 雪崩光电二极管
发布时间:2019-04-29 15:00:57 点击浏览:


InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是单光子检测的专用器件,是量子通信设备中单光子检测的核心器件。该产品由我司与CETC研究所联合研制,打破以往该类器件对进口的依赖,且具有优秀的设计理念与工艺水平,可满足量子信息领域对高效率低噪声单光子检测的技术需求。

正常工作时该器件的反向工作电压大于二极管反向击穿电压(即“盖革模式”),此时当单光子入射到APD管的光接收区时,APD管会产生雪崩脉冲电流。通过脉冲检测电路把脉冲电流信号转换为标准数据信号,实现对单光子探测功能。该器件的光谱响应范围是950~1650nm。



关键特性

·单光子检测

·盖革模式工作

·高响应度

·高探测效率

·超低噪声

·尾纤封装

·安装方便


典型应用

·量子通信

·荧光检测

·3D成像

·激光测距

·环境检测

·时间相关计数等












线性模式参数(室温295K,所有电压和电流采用默认值)
响应度
8-11.0A/W
反向击穿电压
60-80v
盖革模式参数
光子探测效率
10%-20%





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